中科院理化所CdS纳米带光电导性能研究取得新进展  

出　　处：《现代材料动态》2007年第5期24-25,共2页Information of Advanced Materials

摘　　要：中科院理化所与香港城市大学合作，在CdS纳米带的晶体结构和光电导性能表征方面取得新进展。随着纳米材料制备水平的日趋深入、成熟和多样化，纳米器件及其性能的研究得到了广泛开展，并在晶体管、发光二极管、气体和化学传感器等应用方面获得了初步成功。

关 键 词：光电导性能 纳米带 CDS 中科院 香港城市大学 发光二极管 化学传感器 性能表征 

分 类 号：TB383[一般工业技术—材料科学与工程]