S_NO_2掺Sb薄膜导电机理  

作　　者：陈洪[1] 杨珺[1] 杨贤镛[1] 

机构地区：[1]湖北工业大学机械工程学院,武汉430068

出　　处：《科技咨询导报》2007年第15期41-41,共1页Science and Technology Consulting Herald

摘　　要：透明导电膜是一种重要的光电材料,应用广泛。本文介绍了掺锑氧化锡(ATO)薄膜的导电机理和光电性能。掺锑氧化锡薄膜属四方相金红石结构,薄膜中的Sn呈+4价,掺杂的Sb分别以+5和+3价形式存在。对SnO2薄膜电学性能的研究表明,适量的Sb掺杂能显著提高薄膜的导电性能,但是过量的掺杂会导致导电性能的下降。

关 键 词：透明导电薄膜 导电性能 锑掺杂二氧化锡薄膜 导电率 

分 类 号：TP393[自动化与计算机技术—计算机应用技术]