利用红外热像研究不同浓度腐蚀液中GaAs的反应启动时长  

作　　者：刘霖[1] 叶玉堂[1] 吴云峰[1] 方亮[1] 陆佳佳[1] 

机构地区：[1]电子科技大学光电信息学院,成都610054

出　　处：《科学通报》2007年第10期1207-1211,共5页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60277008);教育部重点项目(编号:03147);国防科技重点实验室基金项目(编号:514910501005DZ0201);四川省科技厅课题(编号:04GG021-020-01)资助

摘　　要：提出了一种测定材料湿法刻蚀启动时长的红外热成像新方法．该方法的实质是利用反应启动时必然有化学热吸收或释放，从而引起材料表面液膜温度变化这一特点，通过红外热成像实时监测系统，采集液膜温度变化过程的红外热像，从而判断反应启动时长．实验发现，2mm宽线形液膜是较为理想的监测对象，因其同时具备温度变化信息和空间分布信息，可以将线形液膜中心作为理想的观测特征点；由滑动液滴形成残留线形液膜可以得到超浅液膜，温度变化灵敏度高，GaAs竖直放置，可以避免液膜重力对启动时长的影响，获得更为准确的监测数据．在本实验条件下，由线形液膜的横向剖面灰度变化得到GaAs材料与H2SO4：H2O2：H2O（=5：1：50和15：3：50）腐蚀液的反应启动时长分别约为0．2S和0.3-0.4s之间．该方法的提出，对于快速刻蚀技术以及固．液吸附等性能研究均具有重要价值．

关 键 词：红外辐射 实时监测 液滴 液膜 砷化镓 

分 类 号：TN219[电子电信—物理电子学]