Broadband MMIC Power Amplifier for C-X-Ku-Band Applications  

应用于C-X-Ku波段的宽带功率放大器(英文)

作　　者：张书敬[1] 杨瑞霞[1] 张玉清[2] 高学邦[2] 杨克武[2] 

机构地区：[1]河北工业大学信息工程学院,天津300130 [2]中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第6期829-832,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：河北省自然科学基金(批准号:F2007000098);天津市自然科学基金(批准号:07JCZDJC06100)资助项目~~

摘　　要：A three-stage MMIC power amplifier operating from 6to 18GHz is fabricated using 0.25μm A1GaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor（PHEMT）.The amplifier isfully monolithic,with all matching,biasing,and DC block circuitry included on the chip.Thepower amplifier has an average power gain of 19dB over 6～18GHz.At operation frequenciesfrom 6 to 18GHz,the output power is above 33.3dBm,and the maximum output power of the MMICis 34.7dBm at 10Ghz.The input return loss is less than-10db and the out-put return is lessthan-6dB over operating frequency.This power amplifier has,to our knowledge,the best powergain flatness reported at C-X-Ku-band applications.采用0.25μm AlGaAs／InGaAs／GaAs PHEMT工艺技术，研制出了6～18GHz三级MMIC全匹配宽带功率放大器单片，在6～18GHz的工作频率下，放大器的平均功率增益为19dB，输出功率大于33.3dBm，在10GH。处有最大输出功率34.7dBm，输入回波损耗S11低于-10dB，输出回波损耗S22低于-6dB。与报道的C-X-Ku频段宽带功率放大器相比，有较好的功率平坦度。

关 键 词：High electron mobility transistors Monolithic microwave integrated circuits Semiconducting gallium arsenide 

分 类 号：TN722.75[电子电信—电路与系统]