表面电场导致InGaAs/GaAs量子阱子带跃迁选择定则的改变  

Change of Selection Rule in InGaAs/GaAs QWs Caused by Surface Electric Field

作　　者：王小军[1] 刘伟[2] 胡雄伟[1] 庄婉如[3] 王启明[3] 

机构地区：[1]北京国家光电子工艺中心,北京100083 [2]中国科学院半导体研究所超晶格定,北京100083 [3]中国科学院半导体所区,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》1997年第1期4-9,共6页半导体学报（英文版）

摘　　要：本文报道用MOCVD方法制作高质量的InGaAs／GaAs应变量子阱材料．单量子阱样品在室温光伏谱中出现清晰的11H、12H、21H和22H激子吸收峰．首次用室温光伏方法研究表面自建电场导致InGaAs／GaAs量子阱中子带间跃迁选择定则的改变．InGaAs/GaAs quantum well material with high quality is grown by MOCVD.The PV spectra of a single quantum well sample at room temperature shows sharp, strong11H.12H. 21H.22H exciton absorption peaks. For the first time, the change of selectionrule in InGaAs/GaAs quantum wells caused by surface electric field is investigated by asimple PV method.

关 键 词：量子阱 砷化镓 半导体物理 

分 类 号：TN301[电子电信—物理电子学]