极低暗电流InGaAs MSM-PD的光电特性研究  

Investigation on Characteristics of Very Low Dark Current InGaAs MSM-PD

作　　者：朱红卫[1] 史常忻[1] 陈益新 李同宁 

机构地区：[1]上海交通大学微电子技术研究所,上海200030 [2]武汉电信器件公司,武汉430074

出　　处：《Journal of Semiconductors》1997年第1期22-26,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：本文首次采用双重肖特基势垒增强层技术，制作了InGaAsMSMS－PD光电探测器．实际结构表明：具有15nm的P－InP和100nmInP双重势垒增强层的器件极大地减小了暗电流，器件的暗电流均小于10nA，响应度为0．83A／W，FWHM为70ps，证明这是一种减小MSM－PD暗电流的有效设计方法．The InGaAs MSM Photodetector with double Schottky barrier enhancementlayers is lnvestigated for the first time. The results show that dark current is greatlyreduced with 15mm p-InP and 100nm InP double Schottky enhancement layers. Thelowerest dark current was 4- 7nA (10V). lt proves that it is an effective method in the design ofMSM-PD.

关 键 词：光电探测器 双重势垒增强层 设计 

分 类 号：TN36[电子电信—物理电子学]