In_2O_3纳米材料的制备及其光学特性研究  

Synthesis and Luminescence Property of Indium Oxide Nanowires

作　　者：吴萍[1] 李强[1] 邹兴权[1] 池凌飞[1] 肖潭[1] 

机构地区：[1]汕头大学物理系,广东汕头515063

出　　处：《汕头大学学报（自然科学版）》2007年第2期33-37,共5页Journal of Shantou University：Natural Science Edition

基　　金：国家自然科学基金资助项目(No:10572079);汕头大学研究与发展基金资助项目(No:130-934062)

摘　　要：采用活性炭直接还原In2O3粉末的热蒸发法,制得大量直径约40～300 nm的In2O3纳米线.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、EDS能谱仪和透射电子显微镜(TEM)对其表面形貌、结构和成分进行分析,结果表明所得纳米线为In2O3.用荧光光谱仪研究其发光特性,得知所得产物在室温下存在较强的蓝绿发光和紫外发光现象,同时结合实验条件对合成In2O3纳米线的生长机理和光致发光机制进行初步讨论.Indium oxide nanowires, with diameter ranging from 40 - 300 nm, have been synthesized with a simple evaporation method, assisted by thermal C reduce indium oxide powder. The morphology, structure and composition of the final nano-products were characterized by scanning electron microscope（SEM）, energy-dispersive spectroscope（EDS） and x-radial diffraction（XRD） analysis. The deep-level（DL） and near-band-edge（NBE） emissions were observed with photoluminescence spectrum（PL） at room temperature. The growth of nanowires based on VS model and the light emission mechanism originated from the oxygen vacancy are discussed.

关 键 词：IN2O3 纳米线 光致发光 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]