斜位电流注入磁共振电阻抗成像(MREIT)与硬件设计  

Magnetic Resonance Electrical Impedance Tomography(MREIT) with Currents Injected from an Oblique Plane: Methods and Hardware Design

作　　者：巩玉香[1] 王慧贤[1] 王玉宇[1] 杨文晖[1] 

机构地区：[1]中国科学院电工研究所生物工程部

出　　处：《波谱学杂志》2007年第2期183-189,共7页Chinese Journal of Magnetic Resonance

基　　金：国家自然科学基金资助项目(50577064)

摘　　要：现有的磁共振电阻抗成像(MREIT)方法只适用于主磁场平行水平面的磁共振系统,本文中提出了一种新的MREIT方法即斜位电流注入磁共振电阻抗成像,同时适用于主磁场垂直于水平面的磁共振系统.硬件系统以磁共振主控计算机为控制中心,将MRI与EIT有机结合于一体:(1)能够测量注入电流在成像体内部感应磁场的磁感应强度B(x,y,z);(2)向成像体注入电流;(3)满足时序匹配要求;(4)测量边界电压.文章还展示了利用此装置所得的初步实验结果.The present magnetic resonance electrical impedance tomography （MREIT） method can only be used in MRI systems in which the main magnetic fields are parallel to the horizontal plane. In this paper, a new MREIT method with currents injected from an oblique plane is proposed. It can be used on MRI scanners with either permanent magnet or superconductive magnet. Using computers to control the MRI system and the electrical impedance tomography （EIT） equipment, we showed that it is possible to （1） measure the magnetic flux density B（x, y, z） generated by the currents injected;（2） inject currents to the imaging object; （3） match perfectly the MRI and EIT sequences in time; （4） measure the magnitudes of surface voltages. Some experimental results were presented.

关 键 词：磁共振电阻抗成像 硬件设计 斜位电流注入 

分 类 号：O482.53[理学—固体物理]