Au/Si扭转界面能各向异性研究  

Anisotropy analysis of energy in Au/Si twist interface

作　　者：辛红[1] 张建民[2] 

机构地区：[1]西安建筑科技大学理学院,陕西西安710055 [2]陕西师范大学物理学与信息技术学院,陕西西安710062

出　　处：《陕西师范大学学报（自然科学版）》2007年第2期31-34,共4页Journal of Shaanxi Normal University：Natural Science Edition

基　　金：国家自然科学基金资助项目(50271038)

摘　　要：采用改进型嵌入原子法(modifiedembedded atom method,MEAM),计算了(001)Au/(111)Si、(011)Au/(111)Si、(111)Au/(111)Si、(001)Au/(001)Si、(011)Au/(001)Si、(111)Au/(001)Si六个扭转界面的界面能.结果表明,不论是对于(111)Si还是(001)Si基底,相同基底的界面均按照(111)Au/Si、(001)Au/Si、(011)Au/Si顺序依次增加;从界面能的最小化考虑,Au在(111)Si或(001)Si基底上的外延生长,Au(111)面为择优晶面,择优扭转角分别为θ=2.68°和θ=2.42°.The energies in six combinations of （001） Au/（ 111 ） Si, （011） Au/（ 111 ） Si, （ 111 ） Au/（ 111 ） Si and （001 ） Au/（ 001 ） Si, （ 011 ） Au/（ 001 ） Si, （ 111 ） Au/（ 001 ） Si twist boundaries have been calculated with modified embedded atom method （MEAM）. The results show that the interface energies corresponding to （ 111 ） Au/Si, （ 001 ） Au/Si, （011） Au/Si increase successively regardless of （111） - or （001） - oriented single crystal Si substrate. Considering minimization of interface energy, the Au films deposited on （111） - or （001） - oriented Si substrate will result in a （111） preferable orientation, especially at twist angle θ = 2.68° for the former and θ = 2.42° for latter.

关 键 词：Au/Si界面 界面能 改进型嵌入原子法 

分 类 号：O483[理学—固体物理]