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作 者:郭云霄[1] 巩马理[1] 薛海中[2] 李晨[1] 闫平[1] 柳强[1] 陈刚[1]
机构地区:[1]清华大学精密仪器系光子与电子技术研究中心摩擦学国家重点实验室,北京100084 [2]西安电子科技大学技术物理学院,西安710071
出 处:《激光技术》2007年第3期238-241,共4页Laser Technology
摘 要:针对半导体侧面抽运固体激光晶体的温度分布问题,使用类高斯的非均匀发热模型,对LD侧面抽运棒状固体激光介质的温度分布问题进行了计算,推导并最终得到了侧面抽运情况下棒状激光晶体内温度分布的近似解析表达式。与以往的报道相比,所使用的类高斯发热模型比均匀发热模型更符合激光器的实际工作情况,使用该模型计算温度分布将得到更为精确的结果。In order to calculate the accurate temperature distribution of a side-pumping laser rod , a nonuniform heat generation model of quasi-gaussian profile is proposed. Approximate analytical expression of the temperature distribution of the laser rod is derived. This model is more practical than the uniform model reported before and it can meet a wide situation of the diode side-pumped laser system. With this model, the thermal stress, thermal lens, and other thermal effects in a laser rod can be easily calculated.
关 键 词:激光器 侧面抽运 温度分布 激光晶体 半导体激光器
分 类 号:TN248.4[电子电信—物理电子学]
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