硅基低维半导体材料  

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作  者:刘明[1] 窦红飞[1] 何宇亮[1] 江兴流[1] 

机构地区:[1]北京航空航天大学非晶态物理与光信息研究室

出  处:《物理》1997年第3期150-154,共5页Physics

摘  要:Si/Ge超晶格外延生长技术的发展和纳米硅(ncSi∶H)、多孔硅(PS)发光现象的发现,引起了人们对硅基低维材料的关注.文章简要综述了近年来在Si/Ge超晶格的电子态和光学性质以及ncSi∶H。

关 键 词:低维结构 超晶格 纳米硅 多孔硅 光电子 

分 类 号:TN204[电子电信—物理电子学] TN304.12

 

参考文献:

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