用于空间微型红外仪器的InGaAs探测器(下)  

作　　者：T.N.Krabach 顾聚兴 

机构地区：[1]美国加利福尼亚技术研究所喷气推进实验室

出　　处：《红外》1997年第2期26-30,共5页Infrared

摘　　要：3.3.在InP和GaAs衬底上生长In-GaAs三元In_yGa_(1—y)As可以用外延方法生长在Ⅲ-V族二元衬底上。当铟的克分子份数y从y=0(纯GaAs)至y=1(纯InAs)连续变化时,这种材料的带隙也从Eg=1.424eV至Eg=0.360eV连续变化[8]。器件所敏感的最长波长被称为截止波长λ_(co),截止波长也相应地从λ_(co)=0.871μm至λ_(co)=0.344μm 发生变化。

关 键 词：铟镓砷 红外探测器 空间探测 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学]