利用TEM对Si基片与MgO基片上生长的薄膜特性的研究  

Study the idiocratics of films on Si and on MgO

作　　者：昌路[1] 康琳[1] 刘希[1] 赵少奇[1] 吴培亨[1] 

机构地区：[1]南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所,南京210093

出　　处：《低温与超导》2007年第3期231-233,241,共4页Cryogenics and Superconductivity

基　　金：国家自然科学基金项目(10474036)(10534060);国防科技重点实验室基金项目(51473040105JW1101)资助

摘　　要：对生长在Si和MgO单晶基片上的不同厚度的单层NbN薄膜、双层薄膜AlN/NbN以及三层薄膜NbN/AlN/NbN应用透射电子显微镜(Transmission Electron Microscope,TEM)技术进行了分析研究,对这几种薄膜样品的微观结构、薄膜厚度以及各个边界的一些直观细节给出了较为清晰的图像。由透射电子显微镜的电子衍射图案计算了薄膜和单晶衬底的晶格常数,并与我们以前采用X射线衍射技术分析的结果进行了比较,结果有很好的吻合。Analysed the NbN fdm,the AIN/NbN film and NbN/A1N/NbN film on Si and on MgO by TEM（Transmission Electron Microscope）, observed the microstructure, the thickness and the interfacial of films. Got the crystal lattice constant of films and underlay by diffraction pattern, the constant was similar to that got by analysing the XRD pattern. The quality of the film is wonderful.

关 键 词：透射电子显微镜 薄膜 电子衍射图案 SIS结 

分 类 号：O484.4[理学—固体物理]