离子敏场效应晶体管(ISFET)的研究进展  

Research Advancement in Ion-sensitive Field Effect Transistor (ISFET)

作　　者：张彩霞[1] 马小芬[1] 申霖[1] 邓家春[1] 华玉林[1] 印寿根[1] 

机构地区：[1]天津理工大学材料物理所天津市光电显示材料与器件重点实验室,天津300384

出　　处：《材料导报》2007年第6期9-12,共4页Materials Reports

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60676051);教育部科技研究重点资助项目(205007);天津市自然科学基金重点项目(06TXTJJC14603);天津市高校科技发展基金资助项目(20041017;20030426)

摘　　要：以ISFET为基础的生物传感器目前已经得到了广泛应用。综述了ISFET的优势、制造技术、工作原理及其分类;重点介绍了近年来国际上ISFET在各领域的应用;针对ISFET存在的问题,提出了一些解决方案,展望了ISFET的未来,指出它将朝着复合多功能的方向发展。Today, ion-sensitive field effect transistor-based biosensors have been applied widely. The advantages, technology of fabrication, operational mechanism and classification of ISFET are discussed in the paper. Application of ISFET in the world in various fields in recent years is reviewed in particular. Moreover, some methods for solving these problems are given. The future of ISFET is prospected that it will develop towards multiplex and multifunction.

关 键 词：离子敏场效应晶体管 生物传感器 敏感膜 

分 类 号：TP212.3[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]