InN材料及器件的最新研究进展  

Research Progress in InN-based Semiconductor Material and Device

作　　者：丁少锋[1] 范广涵[1] 李述体[1] 郑树文[1] 陈琨[1] 

机构地区：[1]华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州510631

出　　处：《材料导报》2007年第6期16-20,共5页Materials Reports

基　　金：国家自然科学基金(50602018);广东省自然科学基金(06025083);广东省科技攻关计划(2006A10802001);广州市科技攻关重大项目(2005Z1-D0071)资助项目

摘　　要：InN材料是性能优良的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料,在光电子领域有着非常重要的应用价值,由此成为最近国际国内研究的热点。就InN材料的制备方法、p型掺杂、电学特性、光学特性、器件的研究应用以及国内研究的最新进展进行了综述。InN is one of the Ⅲ-Ⅴ nitride semiconductor material with good properties. It is very valuable in the field of opto-electronics. In this paper, the newest progress in investigations on electronic and optical properties of InN-based material and optoelectronic devices and their applications are summarized.

关 键 词：INN 特性 应用 进展 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]