检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:彭燕[1] 钮计彬[1] 孙会元[1] 胡骏[1] 封顺珍 张罕玮[1] 张玉杰[1] 胡彦英[1]
机构地区:[1]河北师范大学物理科学与信息工程学院,河北石家庄050016
出 处:《河北师范大学学报(自然科学版)》2007年第4期460-462,478,共4页Journal of Hebei Normal University:Natural Science
基 金:国家自然科学基金(10274018);河北省教育厅科学研究基金(2002116);河北师范大学重点学科资助项目(Z200102)
摘 要:在室温下,采用射频溅射模式和直流对靶溅射模式制备了C(60 nm)/CoCrPt(30 nm)/Ti(60 nm)系列薄膜.样品在高真空条件下进行30 min后退火,退火温度分别为RT(室温),300,500,600℃.研究表明,后退火处理对样品的微结构和磁特性有很大的影响.VSM测量结果显示,当ta=300℃时,垂直膜面矫顽力达到最大(131kA/m);扫描探针显微镜(SPM)观察结果显示,样品的平均粒径最小为9.6 nm.C/CoCrPt/Ti nonogranular films have been fabricated on glass substrates by DC and RF magnetron sputtering and subsequently annealed at RT,300,500,600℃. It has been found that the microstructures and magnetic properties of C/CoCrPt/Ti films depend strongly on the post-annealing temperature. VSM mea- surements indicate that the out-of-plane coercivity.reaches the maximum 131 kA/m,SPM images show the minimum average grain size (D) = 9.6 nm just post-annealed at tn = 300℃ .
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在链接到云南高校图书馆文献保障联盟下载...
云南高校图书馆联盟文献共享服务平台 版权所有©
您的IP:216.73.216.13