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机构地区:[1]四川大学物理科学与技术学院,四川成都610064 [2]微电子技术四川省重点实验室,四川成都610064
出 处:《现代电子技术》2007年第14期173-176,共4页Modern Electronics Technique
摘 要:设计了一个在0.8μm BiCMOS工艺、低于1V电源电压下的带隙基准电压源,能稳定产生0.61V的基准电压。该电路结合当今电压基准主流技术及研究进展,采用了一种系统失调仅912μV的新型运算放大器;采取了T型电阻网络和加入曲率补偿支路的方法,实现了大于59dB电源抑制比和-30~150℃范围内11.7ppm/℃的温度系数。In this paper, associated with modern technique and research, a bandgap reference circuit, which has a supply voltage of sub - 1 V and generates a voltage of 0.61 V,has been designed based on a 0.8 μm BiCMOS technology. By using a kind of new operational amplifier with only 912 μV systematic offset, T resistor network as well as a subsidiary circuit,a PSRR of higher than 59 dB and a low temperature coefficient of 11.7 ppm/℃ from -30-150 ℃ have been achieved.
分 类 号:TN86[电子电信—信息与通信工程]
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