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机构地区:[1]复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海201203
出 处:《微电子学》2007年第3期440-443,共4页Microelectronics
摘 要:提出了一种工作在低电源电压下的带隙基准电路。通过温度补偿电流的采集电路,突破了电阻分流式低压带隙基准[1]最低工作电压0.95 V的限制。基于SMIC 0.18μm工艺的Hspice仿真测试显示,电路的可靠工作电压最低可为0.8 V,且功耗仅为40μW,电源抑制比为69.5 dB@1 kHz;同时,在-20℃到100℃的温度范围内,输出电压的相关系数只有0.013 mV/K。A bandgap reference with low supply voltage is presented. The resistive-subdivision solution for low voltage bandgap in Ref. [1] is further improved and its minimum supply voltage limitation of 0. 95 V is overcome. Hspice simulation based on SMIC's 0. 18 /an process indicates that the proposed design is capable of operating at supply voltage down to 0. 8 V with only 40μW of power, and a PSRR of 69. 5 dB has been achieved for the circuit. Meanwhile, the circuit maintains a low temperature coefficient of only 0. 013 mV/K over --20 ℃ to 100 ℃.
关 键 词:低电压带隙基准电路 高精度电压跟随器 低压运算放大器 启动电路
分 类 号:TN431.1[电子电信—微电子学与固体电子学]
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