第一性原理研究Si_nB(n=1～12)团簇的稳定性  

作　　者：张俊[1] 赵高峰[1] 井群[1] 刘霞[1] 罗有华[1] 

机构地区：[1]河南大学物理与电子学院理论物理研究所,开封475004

出　　处：《原子与分子物理学报》2007年第B08期91-94,共4页Journal of Atomic and Molecular Physics

基　　金：国家自然科学基金(10174086);河南大学自然科学基金(06YBZR021)

摘　　要：基于密度泛函理论(DFT),我们研究了SinB(n=1～12)团簇的稳定性.结果表明:SinB的基态构型是在Sin-1B的基态或亚稳态构型上带帽一个Si原子而得到;随着团簇尺寸的增大,B原子逐渐从吸附在Sin团簇的表面位置移动到Sin团簇笼内;掺杂B原子提高了纯硅团簇的稳定性;电子总是从Si向B转移,B原子所带的电荷数不仅与B原子的配位数有关,还与SinB团簇的基态结构密切相关.

关 键 词：SinB团簇 稳定结构 电子性质 

分 类 号：O641[理学—物理化学]