Al-Mg-Si合金时效强化初期的价电子理论研究  

Valence electronic structure of Al-Mg-Si alloy in initial age strengthening stages

作　　者：高倩[1] 林成[1,2] 曹力生 刘志林[1] 

机构地区：[1]辽宁工学院材料与化学工程学院 [2]东北大学,辽宁沈阳110004 [3]锦州师范高等专科学校

出　　处：《兵器材料科学与工程》2007年第4期27-30,共4页Ordnance Material Science and Engineering

基　　金：国家自然科学基金(NO.50471022)

摘　　要：为了在电子结构上揭示Al-Mg-Si合金时效强化初期的机理,利用"EET"理论中的键距差法(BLD法),计算了Al-Mg-Si合金中过饱和固溶体相、GP区以及β相的电子结构;解释了Al-Mg-Si合金高温淬火后,过饱和固溶体产生GP区而不是直接产生β稳定相的过程。To disclose the age strengthening mechanism of Al-Mg-Si alloy in initial stage, the BLD method in EET theory was applied. The valence electronic structure of supersaturated solid solution GP-zone and β stable phase was figured out. So the process why supersaturated solid solution changes into GP-zone but not directly change into β stable phase after elevated temperature was explained.

关 键 词：AL-MG-SI合金 时效强化 价电子结构 过饱和固溶体 GP区 EET理论 

分 类 号：TG111.1[金属学及工艺—物理冶金]