FED发展面向何方  

作　　者：柯春和[1] 

机构地区：[1]电子工业部第12研究所

出　　处：《世界电子元器件》1997年第4期11-13,共3页Global Electronics China

摘　　要：曾在1988年6月于美国召开了第一届国际真空微电子学会议(1th IVMC′88),它标志了一门新学科——真空微电子学(Vacuum Microelectronics)的正式诞生。此后每年召开一次,1996年7月已经是第9次会议了。每届会议参加者都十分踊跃。 真空微电子学的理论基础是场致发射(以下简称场发射)理论及真空电子学理论。而场发射理论与实验研究则已有几十年的历史。1961年Shoulders K.P.提出了用场发射电子源的纵向及横向真空微三极管的概念,奠定了真空微电子学的基础。1996年斯坦福研究所(SRI)的Spindt C.A.

关 键 词：场发射显示器件 真空电子学 场发射 

分 类 号：TN141[电子电信—物理电子学]