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机构地区:[1]南通大学江苏省专用集成电路重点实验室,江苏南通226007
出 处:《电子器件》2007年第4期1226-1229,共4页Chinese Journal of Electron Devices
基 金:江苏省"六大人才高峰"第二批项目资助项目:"低噪声集成电路电压调节器"
摘 要:针对消除传统电荷泵电路存在的MOS开关的电荷注入效应,时钟馈通效应,电荷泄露和充放电电流失配等产生的锁相环的相位偏差问题,设计了两种新型的电荷泵电路.这两种电路的设计和仿真采用了0.6μm CMOS工艺,电源电压为5V,功耗分别为0.65 mW和0.7 mW.仿真结果表明,两种新型电荷泵电路的转换速度得到了提高,输出电压近似于电源电压到地的全摆幅并具有稳定的充放电步长,可用于高速锁相环电路.Two novel structure of charge-pump circuitry for overcoming the traditional charge-pump's problems of phase-offset in PLL is designed. The circuits design and simulation are based on 0. 6μm CMOS technology, the power supply is 5 V and the power consumptions of two charge-pump are 0. 65 mW and 0. 7 mW. Simulation resuits show that the charge-pump switch speed is increased, the output voltage is close to rail to rail of power supply and charge and discharge step of output voltage is equal and: stable. The circuit has an excellent performance for high-frequency PLL application.
分 类 号:TN402[电子电信—微电子学与固体电子学]
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