量子点中Stark效应及微观电极化率的理论研究  

Theoretical Study of Stark Effect and Micro-electric Susceptibility in the Quantum Dot

作　　者：张定梅 赵铧[1] 黄晓亚[1] 蒋再富[1] 

机构地区：[1]重庆大学数理学院物理系和凝聚态物理研究所,重庆400030

出　　处：《量子光学学报》2007年第3期228-234,共7页Journal of Quantum Optics

基　　金：重庆大学基金

摘　　要：以半导体材料InSb为研究对象,利用有效质量近似方法,分别研究了在强弱电场下含有两个电子的量子点中的能级移动。首先,利用微扰法计算了库仑相互作用所引起的能量变化ΔE,计算由于弱电场而引起的Stark能级移动ΔE1,并研究了ΔE1与特征长度L的关系;其次,在强电场作用下,用解薛定谔方程的方法求出了能量变化ΔE2并将其与弱电场下的情况进行对比;最后,在此基础上利用非线性光学知识研究了强电场作用下微观电极化率χ是随着L的增加而增大的。In this study, the Stark energy shift in InSb quantum dot of two interacting electrons is investigated by using effective mass approximation in weak and strong electric field. Firstly, it calculates the Coulomb interaction energy △E and the Stark energy shift △E1 aroused by the weak electric field, and then a relation between △E1 and the characteristic length L is obtained ; Secondly, the Stark energy shift △E2 and a relation between the micro-electric susceptibility Х and the characteristic length L are obtained by the nonlinear optics in the strong electric field.

关 键 词：量子点 库仑相互作用 电场 Stark能级移动 

分 类 号：O431[机械工程—光学工程]