垂直腔面发射激光器中选择性氧化工艺稳定性研究  

Study on Stability of Selective Oxidation in Vertical Cavity Surface Emitting Laser

作　　者：马建立[1] 郝永芹[1] 钟景昌[1] 赵英杰[1] 李海军[1] 乔忠良[1] 冯源[1] 

机构地区：[1]长春理工大学高功率半导体激光器国家重点实验室,吉林长春130022

出　　处：《中国激光》2007年第8期1055-1058,共4页Chinese Journal of Lasers

基　　金：国家自然科学基金(60306004)资助项目

摘　　要：选择性氧化工艺已经成为制备高性能垂直腔面发射激光器(VCSEL)的关键技术,氧化后形成的氧化层提供了良好的电限制和折射率导引,但选择性氧化速率是呈线性规律还是抛物线规律仍存在很大的争议.在多种温度条件下,做了环形沟槽和环形分布孔的氧化实验,这是在垂直腔面发射激光器中采用的两种结构.实验结果表明,氧化窗口形状对氧化速率的影响也依赖温度条件,并对这种实验现象给出了定性解释.　Selective oxidation has evolved into a key technology in fabrication of high-performance vertical cavity surface emitting lasers（VCSELs）.The oxide layers have been pursued to form current apertures and index guiding.However,there exists considerable controversy whether the selective oxidation follows a linear or parabolic growth rate.Oxidation experiments have been done at different temperatures for the two ring groove and perforated ring mesa structures employed in VCSEL.Results show the influences of geometry of mesa structures on the oxide growth rate depend on temperature.Reasonable theoretical analysis is given.

关 键 词：激光技术 垂直腔面发射激光器 选择性氧化 氧化速率 环形分布孔结构 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]