Design and Implementation of an Optoelectronic Integrated Receiver in Standard CMOS Process  

一种与标准CMOS工艺兼容的光电集成接收机设计与实现(英文)

作　　者：余长亮[1] 毛陆虹[1] 宋瑞良[1] 朱浩波[1] 王蕊[1] 王倩[1] 

机构地区：[1]天津大学电子信息工程学院,天津300072

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第8期1198-1203,共6页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60536030,60676038);天津市自然科学基金(批准号:06YFJZJC00200)资助项目~~

摘　　要：A wideband monolithic optoelectronic integrated receiver with a high-speed photo-detector,completely compatible with standard CMOS processes,is designed and implemented in 0.6μm standard CMOS technology.The experimental results demonstrate that its performance approaches applicable requirements,where the photo-detector achieves a -3dB frequency of 1.11GHz,and the receiver achieves a 3dB bandwidth of 733MHz and a sensitivity of -9dBm for λ=850nm at BER=10-12.设计了一种与标准CMOS工艺完全兼容的高速光电探测器和宽带光电集成接收机,并采用0.6μm标准CMOS工艺流片.测试结果表明,该光电集成接收机的性能已接近实用要求.探测器的频率响应带宽为1.11GHz ,光电集成接收机的3dB带宽为733MHz ;在误码率为10-12条件下,对波长为850nm的输入光信号,灵敏度达到-9dBm.

关 键 词：PHOTO-DETECTOR optoelectronic integrated receiver CMOS active inductor 

分 类 号：TN855[电子电信—信息与通信工程]