SUPREM-Ⅲ进行集成电路氧化—扩散工艺模拟  

IC Oxidation and Diffusion Process Sinulation with SUPREM-Ⅲ

作　　者：刘欢[1] 魏立峰[1] 王健[1] 边福强[1] 

机构地区：[1]沈阳化工学院,沈阳110142

出　　处：《微计算机信息》2007年第04X期273-275,共3页Control & Automation

基　　金：辽宁省教育厅科学研究计划(20040291)

摘　　要：随着集成电路工艺的不断发展,工艺模拟软件功能也在不断的改善,本文以氧化扩散工艺为例,并在计算机上采用SUPREM-Ⅲ完成氧化扩散初始条件的编辑以及工艺模拟,并对模拟结果进行分析比较。从而对氧化、扩散工艺操作过程有直观的了解,避免了复杂的工程计算。With the rapid development in the process of intenrated circuits, the function of the process simulation software has been improved constantly, Taking The oxidation and diffusion process as example, The edit of process initial condition and oxygen chemical diffusion process simulation are done on the computer. The simulation curves are also compared, and the oxidation and diffusion process can be easily seen while avoiding the complicated engineering computation.

关 键 词：SUPREM-Ⅲ 氧化扩散 工艺模拟 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]