基于0.18μm CMOS工艺的超高速比较器  被引量:5

0.18 μm CMOS Ultra High-Speed Comparator

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作  者:高彬[1] 孟桥[1] 沈志远[1] 

机构地区:[1]东南大学射频与光电集成电路研究所,南京210096

出  处:《微电子学》2007年第4期599-602,共4页Microelectronics

基  金:国家自然科学基金资助项目(60576028)

摘  要:给出了基于TSMC 0.18μm CMOS工艺的1.8V超高速比较器的设计方案;对比较器速度和失调进行综合,设计了一个1GHz超高速低失调比较器;通过Monte Carlo仿真,验证该比较器的失调电压分布范围为-4.5~4.5mV,并进行了版图设计。该比较器应用于低电压A/D转换器设计中,可达到6位以上的精度。Based on TSMC's 0. 18 μm CMOS process and 1.8 V power supply, an architecture of ultra highspeed comparator was proposed. With both speed and offset voltage taken into consideration, a 1 GHz high-speed low-offset comparator was designed. Monte Carlo simulation was performed to verify the offset voltage, which was from around -4. 5 mV to 4. 5 mV. The circuit could be used in high-speed low-voltage A/D converters to realize 6- bit resolution.

关 键 词:超高速比较器 A/D转换器 MONTE Carlo仿真 失调电压 

分 类 号:TN752[电子电信—电路与系统] TN432

 

参考文献:

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引证文献:

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