一种新型磁随机存取存储器原理型器件问世  

出　　处：《中国科学院院刊》2007年第2期161-162,共2页Bulletin of Chinese Academy of Sciences

摘　　要：物理所韩秀峰课题组最近研制出一种新型磁随机存取存储（MRAM）原理型器件，这种存储器采用100纳米尺度下的磁矩闭合型纳米环状磁性隧道结作为存储单元，正负脉冲极化电流直接驱动比特层磁矩翻转的上作原理，解决了常规MRAM相对功耗高、仔储密度低等瓶颈问题。

关 键 词：磁随机存取存储器 原理 器件 纳米尺度 磁性隧道结 存储单元 直接驱动 极化电流 

分 类 号：TP333.1[自动化与计算机技术—计算机系统结构]