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作 者:王保卫[1] 褚祥诚[1] 李恩竹[1] 李龙土[1] 桂治轮[1]
机构地区:[1]清华大学材料科学与工程系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京100084
出 处:《稀有金属材料与工程》2007年第A01期425-427,共3页Rare Metal Materials and Engineering
基 金:国家自然科学基金(50505021;10676015);北京市科技新星计划(2006B56)
摘 要:无铅压电陶瓷是压电材料中一个重要的研究方向,为了能够取代目前广泛应用的含铅材料,需要进一步提高无铅陶瓷材料的各项性能,尤其是压电性能。BNT-BZT系陶瓷是钛酸铋钠(BNT)和锆钛酸钡(BZT)两相形成的固溶体,在BNT-BZT陶瓷体系中,富BNT和低Zr含量的区域存在准同型相界,在相界附近可以得到性能优良的无铅压电陶瓷,其性能d33大约150pC/N,居里温度在240℃左右,介电常数大约900。在BNT-BZT相界点处掺杂K离子,研究了K改性的BNT-BZT体系陶瓷的微观结构与性能。实验结果表明,d33达到165pC/N;居里温度达到270℃;烧结中出现了玻璃相,预烧温度和烧结温度相对于原体系都有适当降低。Microstructure, dielectric and piezoelectric properties of the morphotropic phase boundary composition in the system of K doped BNT-BZT have been investigated. The conventional processing method has been used to prepare the samples. A relatively high piezoelectric constant d33 of 165 pC/N and a Curie temperature of 270 ℃ have been obtained. In case of K addition, the sintering temperature decreases. Meanwhile these dielectric and piezoelectric properties make this composition a promising candidate as a lead-free piezoelectric ceramics
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