检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:王承栋[1] 杨集[2] 冯士维[1] 张跃宗[1] 庄四祥[1] 张弓长[1]
机构地区:[1]北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京100022 [2]中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室,北京100080
出 处:《微纳电子技术》2007年第7期196-197,209,共3页Micronanoelectronic Technology
基 金:北京市自然科学基金资助项目(21002015200501);教育部出国留学人员基金资助项目(63002015200401)
摘 要:分析了影响探测器响应度的各因素,在此基础上设计了InGaAs/InP PIN探测器的外延材料结构并优化了增透膜厚度和p-InP区欧姆接触电极图形的设计,以达到提高响应度的目的。采用MOCVD技术和闭管扩散等工艺制备了器件并测量了其响应度。结果显示,器件的光谱响应范围为1000-1600nm,在1500nm激光的辐照下,5V反向偏压时器件的响应度可达0.95A/W以上。In order to improve the detectors responsivity, the thickness of antireflective film and the shape of p-InP ohmic contact electrode were optimized on the basis of analyzing the factors effecting on responsivity. The device was implemented by MOCVD and closed-capsule diffusion method and the spectral response was measured. The detectors show perfect responsivity at wavelengths from 1000 nm to 1600 nm. At the wavelength of 1500 nm and at 5 V reverse bias, the responsivity is over 0.95A/W.
分 类 号:TN36[电子电信—物理电子学]
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在载入数据...
正在链接到云南高校图书馆文献保障联盟下载...
云南高校图书馆联盟文献共享服务平台 版权所有©
您的IP:216.73.216.222