高响应度InGaAs PIN光电探测器的研制  

Development of High Responsivity InGaAs PIN Photodetectors

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作  者:王承栋[1] 杨集[2] 冯士维[1] 张跃宗[1] 庄四祥[1] 张弓长[1] 

机构地区:[1]北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京100022 [2]中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室,北京100080

出  处:《微纳电子技术》2007年第7期196-197,209,共3页Micronanoelectronic Technology

基  金:北京市自然科学基金资助项目(21002015200501);教育部出国留学人员基金资助项目(63002015200401)

摘  要:分析了影响探测器响应度的各因素,在此基础上设计了InGaAs/InP PIN探测器的外延材料结构并优化了增透膜厚度和p-InP区欧姆接触电极图形的设计,以达到提高响应度的目的。采用MOCVD技术和闭管扩散等工艺制备了器件并测量了其响应度。结果显示,器件的光谱响应范围为1000-1600nm,在1500nm激光的辐照下,5V反向偏压时器件的响应度可达0.95A/W以上。In order to improve the detectors responsivity, the thickness of antireflective film and the shape of p-InP ohmic contact electrode were optimized on the basis of analyzing the factors effecting on responsivity. The device was implemented by MOCVD and closed-capsule diffusion method and the spectral response was measured. The detectors show perfect responsivity at wavelengths from 1000 nm to 1600 nm. At the wavelength of 1500 nm and at 5 V reverse bias, the responsivity is over 0.95A/W.

关 键 词:探测器 光响应度 铟镓砷/磷化铟 

分 类 号:TN36[电子电信—物理电子学]

 

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