光热位移光谱技术在GaTe特征参量测量中的应用  

SENSITIVE PHOTOTHERMAL DISPLACEMENT SPECTROSCOPY FOR GaTe PROPERTIES MEASURING

作　　者：张振杰[1] 

机构地区：[1]西北大学物理系,西安710069

出　　处：《光子学报》1997年第1期52-55,共4页Acta Photonica Sinica

摘　　要：本文介绍光热位移光谱以及半导体GaTe的光热位移信号与调制频率之间的函数关系，这一复杂而特殊的关系可通过自由载流子的寿命和扩散效应去解释．In this paper, the photothermal displacement spectroscopy and the photothermaldisplacement response of Ga Te as a function of frequency is presented, and the anomalies in thisbehaviour are interpreted in terms of free carrier lifetime and diffusion effects.

关 键 词：热扩散长度 光热位移光谱 带隙 碲化镓 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学] TN304.07