钯/超薄氧化层/硅隧道二极管氢敏器件的研制  

作　　者：李树荣[1] 郭维廉[1] 李良全 

机构地区：[1]天津大学电子工程系

出　　处：《半导体技术》1997年第2期18-19,55,共3页Semiconductor Technology

摘　　要：本文采用Ｐｄ／ＵＴＳｉＯ２／ｎ－Ｓｉ隧道二极管结构，研制出在常温下空气中。

关 键 词：钯 MIS 隧道二极管 氢敏器件 

分 类 号：TN303[电子电信—物理电子学] TN312.2