双栅酞菁铜有机薄膜晶体管  

Dual-gate CuPc Organic Thin Film Transistors

作　　者：宋林[1] 徐征[1] 赵谡玲[1] 张福俊[1] 黄金昭[1] 黄金英[1] 

机构地区：[1]北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室,北京100044

出　　处：《液晶与显示》2007年第4期393-397,共5页Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays

基　　金：国家"863"计划(No.2006AA03Z0412);国家自然科学基金(No.60576016);北京市自然科学基金(2073030);国家重点基础研究发展计划"973"项目(No.2003CB314707);国家自然科学基金重点项目(No.10434030)

摘　　要：有机薄膜晶体管以其成本低、柔性好、易加工等优点越来越受到人们的青睐,目前已广泛应用于低端器件。为了获得更实际的应用,OTFTs的性能还需进一步的提高和改善。文章中以酞菁铜(CuPc)为有机半导体材料,制备了双栅结构的有机薄膜晶体管,其阈值电压为-4.5V,场效应迁移率0.025cm2/V.s,开关电流比Ion/Ioff达到9.8×103,与单栅有机薄膜晶体管相比,双栅器件在更低的操作电压下获得了更大的输出电流,场效应迁移率更高,而且通过对两个栅压的调节,对导电沟道实现了更好的控制,器件性能有了较大的提高。Organic Thin Film Transistors （OTFTs） have attracted more interest due to their low cost, good flexibility, and easy processability for the applications as low-end electronic devices. For the more practical applications, the performance of OTFTs needs further enhancement and improvement. In this paper, the fabricated dual-gate CuPc thin-film transistor （TFT） has a threshold voltage of -4. 5 V, a field-effect mobility of 0. 025 cm^2/V · s, an Ion/Ieff ratio of 9. 8 ×10^3. Compared to a single gate OTFT, dual-gate TFT has higher drain output current at the relatively low operating voltage, larger field-effect mobility, and better channel controllability by adjusting two gate biases.

关 键 词：有机薄膜晶体管 双栅 酞菁铜 

分 类 号：TN27[电子电信—物理电子学] TN321.5