纯硅芯石英光纤的研制  

作　　者：李坚[1] 郑凯[1] 常德远[1] 魏淮[1] 宁提纲[1] 傅永军[1] 毛向桥[1] 延凤平[1] 简伟[1] 简水生[1] 

机构地区：[1]北京交通大学光波技术研究所,北京100044

出　　处：《中国科学（E辑）》2007年第9期1170-1174,共5页Science in China(Series E)

基　　金：国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA312190);国家自然科学基金(批准号:60477017);北京市自然科学基金(批准号:4052023);新世纪优秀人才支持计划(批准号:NCET-06-0076);北京交通大学校科技基金(编号:2006XM003)资助项目

摘　　要：结合改进的化学汽相沉积(MCVD)法的特点,设计纯硅芯石英光纤最佳折射率剖面结构,并对采用改进的石墨炉加热的MCVD法制备纯硅芯石英光纤预制棒和拉丝工艺进行讨论.分析了制作工艺中内包层掺氟量的提高、内包层厚度增加和纤芯折射率保持等难点的原理,并给出了解决方案.同时给出了制备的纯硅芯石英光纤预制棒的折射率剖面图和拉制成型的纯石英光纤折射率剖面图.

关 键 词：纯硅芯石英光纤 下陷包层 改进的化学汽相沉积(MCVD)法 

分 类 号：TN253[电子电信—物理电子学]