硼碳氮纳米管的结构调控及性质研究又获新进展  

出　　处：《中国科学院院刊》2007年第5期411-411,共1页Bulletin of Chinese Academy of Sciences

摘　　要：物理所王恩哥研究组与武汉大学的同事合作,采用等离子体辅助热丝化学气相沉积生长技术,在金属衬底上直接生长硼碳氮／碳多壁纳米管异质结阵列。结构分析表明，硼碳氮纳米管和碳纳米管具有高质量的界面结构。采用原子力显微镜对单个异质结构进行电学测量，发现硼碳氮／碳纳米管异质结具有优良的整流特性。该研究结果一方面首次给出了单根多壁硼碳氮纳米管纯半导体性质的直接实验证据，

关 键 词：硼碳氮纳米管 半导体性质 结构调控 热丝化学气相沉积 等离子体辅助 异质结构 原子力显微镜 多壁纳米管 

分 类 号：TN304.2[电子电信—物理电子学]