硅微超微压传感器设计  

Design research of silicon ultra-low-pressure sensor

作　　者：邱峰[1] 季霞[2] 

机构地区：[1]盐城工学院机械工程学院,盐城224003 [2]江苏大学机械工程学院,镇江212013

出　　处：《机械设计与制造》2007年第10期93-95,共3页Machinery Design & Manufacture

摘　　要：在分析已经商业化的压阻式、电容式、谐振式三类典型的硅微压力传感器各自优缺点和回顾它们微压化进展的基础上,确定了硅微超微压传感器(0～100Pa)的初步结构形式-电容式。针对设计过程中存在的主要难点:超薄平整感压薄膜的制备、高真空压力参考腔的获得与维持、高真空压力参考腔的电极引线以及微弱电容信号的提取,完成了两种差动结构方案的结构与工艺设计,对二者工艺和抗过载能力等方面进行了比较,为下一步的投片工作打下了基础。Based on the analysis of advantages and disadvantages of piezoresistive, capacitive and resonant silicon pressure sensors and review of their low-pressure-orientation research progresses, capacitive structure was determined for the preliminary structure of silicon ultra-low pressure sensor, whose full scale output is lOOPa. Aiming at the diffwulties of design： manufac hamber, e ture of ultra-fiat and ultra-thin lectrode lead from high vacuum reference chamber and detection of micro capacitor. All these work laid a solid foundation for the following manufacture.

关 键 词：硅微超微压传感器 双差动结构 结构与工艺设计 

分 类 号：TH12[机械工程—机械设计及理论]