利用ISE-TCAD分析和设计SCR结构的片上静电保护电路  

Analysis and Design of SCR-structured On-chip ESD Protection with ISE-TCAD

作　　者：向李艳[1] 邬齐荣[1] 龚敏[1] 陈畅[1] 

机构地区：[1]四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室,四川成都610064

出　　处：《现代电子技术》2007年第20期29-32,共4页Modern Electronics Technique

摘　　要：传统的片上静电放电(ESD)保护电路设计主要基于尝试性和破坏性的实验,这种方法不利于产品的推出[1]。提出使用ISE-TCAD工具对ESD保护电路进行模拟和优化,以快速地获取面积参数。并以某一典型0.6μm CMOS工艺的可控硅整流器(SCR)结构为例,进行ESD人体放电模型的模拟和面积估算,达到了缩短设计周期,和增加设计成功率的目的。The conventional method for on- chip ESD protection design is based upon tentative and ruinous experiments, which is harmful for the generation of new produce. In this paper,ISE- TCAD tool is introduced to simulate the SCR- structured ESD protection and to predict the characteristics of the circuit with a typical 0.6μm CMOS technology. The results show that this was an easy way to design SCR - structured on- chip ESD protection circuit.

关 键 词：一片上静电保护 CMOS SCR ISE—TCAD 

分 类 号：TN431.2[电子电信—微电子学与固体电子学]