ZnO基紫外光电探测器的研究进展  

Research Progress in ZnO-based UV Photodetector

作　　者：刘云燕[1] 袁玉珍[1] 李洁[1] 高绪团[1] 

机构地区：[1]山东理工大学物理与光电信息学院,淄博255030

出　　处：《材料导报》2007年第10期9-11,16,共4页Materials Reports

基　　金：国家自然科学基金(50402019);山东理工大学项目基金(303018)

摘　　要：ZnO基紫外光探测器被认为是目前研究紫外探测器的重点之一。简要介绍了ZnO基紫外光探测器采用的基本结构:包括光电导型、肖特基势垒型以及p-n结型;比较了不同结构的ZnO紫外光探测器所具有的优缺点,对光电导型、肖特基势垒型以及p-n结型紫外光探测器近几年的发展分别进行了详细评述。ZnO-based ultraviolet photodector are very promising due to their excellent properties. In this article the basic structures of photoconductive, schottky barrier, p-n junction and other types of ZnO ultraviolet photodetectors are introduced briefly. The characteristics of the different photodetector structures are compared, and the developments of the above UV photodectors in recent years are reviewed detailedly.

关 键 词：ZnO基 紫外光探测器 MSM 光电导 肖特基势垒 P-N结 

分 类 号：TN23[电子电信—物理电子学]