适用于下一代X波段T／R组件的20W氮化镓（GaN）高功率放大器  

作　　者：刘耀文（译） 刘湘梅（校） 

出　　处：《电子工程信息》2007年第4期20-22,共3页Electronic Engineering Information

摘　　要：以碳化硅作为衬底的AlGaN／GaN高电子迁移率晶体管的新颖结构，是实现适用于下一代X波段有源阵列天线T／R组件高功率放大器的基础。混合和单片集成电路被作为发射链的关键部件已经被设计和实现出来。 基于混合技术的设计可实现输出功率23W（43dB），功率增加效率PAE效率29％，在带宽范围超过2GHz（X波段）内输出功率都在20w以上。 通过更复杂的手段，采用新型的过孔的微波传输带技术，第一个单片微波集成电路被设计、仿真和制作出来。在一块12平方毫米小的芯片上测试的输出功率为20W（43dB），PAE为30％，实现了曾报道的最大功率增加效率为36．5％。

关 键 词：高功率放大器 铝镓氮/氮化镓(AlGaN/GaN) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 单片微波集成电路 T/R组件 

分 类 号：TN934.3[电子电信—信号与信息处理]