以聚酰亚胺为绝缘层的并五苯场效应晶体管  

Pentacene filed-effect transistors using a polyimide gate dielectric layer

作　　者：陶春兰[1] 董茂军[1] 张旭辉[1] 孙硕[1] 张福甲[1] 李东仓[1] 欧谷平[2] 

机构地区：[1]兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所,甘肃兰州730000 [2]湖南科技大学物理科学与技术学院,湖南湘潭411201

出　　处：《功能材料》2007年第10期1630-1631,1634,共3页Journal of Functional Materials

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60676033)

摘　　要：报道了以聚酰亚胺(polyimide)作为绝缘层,并五苯作为活动层的一种全有机场效应晶体管。利用原子力显微镜(AFM)分析了聚酰亚胺薄膜及其表面并五苯薄膜的形貌;采用顶电极接触结构,测量出其场效应晶体管的输出特性曲线,并得出其场效应迁移率为0.079m2/(V.s),开关电流比约为104。Organic filed-effect transistors using pentacene have been fabricated employing polyimide gate dielectrlc layers. Using the atomic force microscopic （AFM） images analyzed the polyimide layer and pentacene thin film surface morphologies. The authors use the top contact structure to fabricate the organic filed-effect transistors. The highest mobility of the device is 0. 079cm^2/（V · s）, the on/off ratio is about 10^4.

关 键 词：聚酰亚胺 并五苯 AFM 有机场效应晶体管 迁移率 

分 类 号：TN304.52[电子电信—物理电子学]