空穴传输层厚度对OLED性能的影响  

Influence of Thickness of Hole Transport Layer on Performance of OLED

作　　者：阳秀[1] 黎威志[1] 钟志有[1] 蒋亚东[1] 

机构地区：[1]电子科技大学光电信息学院,成都610054

出　　处：《电子科技大学学报》2007年第5期958-961,共4页Journal of University of Electronic Science and Technology of China

基　　金：总装备部预研基金资助项目(51402040205)

摘　　要：该文采用聚乙烯基咔唑(PVK)作为空穴传输层,8-羟基喹啉铝(Alq3)作为发光层,制备了结构为ITO/PVK(0～60nm)/Alq3(60nm)/Mg:Ag/Al的有机发光二极管。通过测试器件的电流-电压-发光亮度特性,研究了空穴传输层厚度对有机发光二极管器件性能的影响,优化了器件功能层的厚度匹配。实验结果表明,有机发光二极管的光电性能与空穴传输层的厚度密切相关,当空穴传输层厚度为15nm时,有机发光二极管器件具有最低的起亮电压、最高的发光亮度和最大的发光效率。Based on a spinning polymer layer of poly （N-vinylcarbazole） （PVK） as Hole Transport Layer （HTL） and an evaporated layer of tris （8-hydroxy） quinoline aluminum （Alq3） as Electron Transport Layer （ETL） and Emissive Layer （EL）, Organic Light-Emitting Diodes （OLEDs） with the structure of ITO/PVK （0-60 nm） /Alq3（60 nm） /Mg：Ag/Al were fabricated. By measuring and analyzing the current-voltage-luminance characteristics, influences of the thickness of HTL on devices performance was investigated. Experimental results show that optical and electrical properties of the devices are closely related to the thickness of HTL and the device with a layer of HTL 15 nm has the best performances, i.e. the lowest turn-on voltage, highest luminance and maximal luminous efficiency.

关 键 词：器件性能 空穴传输层 有机发光二极管 厚度 

分 类 号：TN383[电子电信—物理电子学]