脑外伤后伪装认知功能损伤者事件相关电位研究  

作　　者：高北陵[1] 吴冬凌[1] 李学武[1] 梁伟德[1] 丁树明[1] 

机构地区：[1]深圳市精神卫生研究所法医精神科,深圳518020

出　　处：《中国神经精神疾病杂志》2007年第10期615-617,共3页Chinese Journal of Nervous and Mental Diseases

基　　金：国家教委留学回国人员科研启动基金(编号:2001345);广东省自然科学基金重点项目(编号:2002021972);深圳市医疗卫生科技项目(编号:2005110)

摘　　要：目的探讨检测伪装认知功能损伤的神经电生理技术。方法鉴定专家结合临床检查及二项必选数字记忆测验对193例脑外伤后精神伤残鉴定进行评估,区分出伪装认知功能损伤者52例与非伪装者120例为研究对象,通过高低音听觉刺激高低概率范式(oddball)引发事件相关电位,并同步记录被试判断高低音的正确率,分析伪装与非伪装组事件相关电位相关参数的差异。结果①伪装组在P300之后的负慢波潜伏期显著短于非伪装组[(412.0±181.6)msvs(424.0±170.1)ms,Z=3.25,P=0.001];而波幅也大于非伪装组,但未达到统计学意义(P>0.05)。②伪装组P300潜伏期短于非伪装组,而波幅大于非伪装组,但差异未达到统计学意义(P>0.05)。③伪装组听觉高低音判断的正确率显著低于非伪装组[(79.2±19.8)%vs(93.1±9.3)%,t=5.195,P<0.001〗。结论伪装认知功能损伤者客观脑电生理反应(潜伏期短,波幅大)与其主观行为表现(判断高低音的正确率低)的"矛盾现象"可以作为伪装认知功能损伤的判断依据之一。

关 键 词：脑外伤 认知功能 伪装 事件相关电位 

分 类 号：D919.4[医药卫生—法医学]