高Tc GdBa_2Cu_3O_(7-δ)薄膜2×4阵列式红外探测器研究  

High Tc GdBa_2Cu_3O_(7-δ) Thin Film 2×4 Array Infrared Detector

作　　者：赵成东[1] 于明湘[1] 杨建清[1] 万发宝 平一梅[1] 王瑞兰[2] 宣毅 李宏成[2] 

机构地区：[1]西北大学物理系,西安710069 [2]中国科学院物理所国家超导实验室,北京100080

出　　处：《低温与超导》1997年第2期7-10,共4页Cryogenics and Superconductivity

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：用高TcGdBa_2Cu_3O_(7－δ)薄膜薄膜研制了面微桥型2×4阵列Bolometer芯片。同一芯片上8个器件的R－T曲线差异≤10％，在77K测试芯片的红外响应特性，其平均结果为：噪声等效功率NEP（500，10，1）＝5×10－11WHz2/1；探测率D=2．1×109cmHz1/2W-1；响应率Rv=680V／W。The 2× 4 arrays with GdBa_2Cu_3O_(7-δ) thin film were fabricated. The superconducting properties and infrared properties have been measured. The difference of different sample in same chip are≤10%. The typical results are as follows: NEP (500, 10, 1 ) = 5×10-11W, D = 2. 1×109cmHz1/2W-1, Rv = 680VW-1.

关 键 词：超导体 薄膜 阵列 红外探测器 高TC 

分 类 号：TM262[一般工业技术—材料科学与工程] TN215[电气工程—电工理论与新技术]