加压光折变晶体中屏蔽暗空间孤子的自偏转特性  

作　　者：张光勇[1] 刘劲松[2] 许德胜[2] 

机构地区：[1]中国地质大学物理系,湖北武汉430074 [2]华中科技大学光电子科学与工程学院,湖北武汉430074

出　　处：《中国激光》2007年第3期447-448,共2页Chinese Journal of Lasers

基　　金：国家自然科学基金(10574051;10174025);中国地质大学(武汉)优秀青年教师资助计划(CUGQNL0621)资助项目

摘　　要：光折变空间光孤子是非线性光学领域近年来的研究热点。光折变屏蔽空间孤子形成于有外加电压的非光伏光折变晶体中,其成因源于对外加电场的非均匀空间屏蔽。光折变空间亮孤子的理论研究表明,若考虑扩散效应的影响,孤子的中心在传播过程中将沿着一条抛物线轨迹偏转。本文通过考虑扩散效应的影响,利用数值方法,分析了外加电压的光折变晶体中的屏蔽暗空间孤子的自偏转特性，讨论了外加电压和入射孤子波强度对暗孤子自偏转的影响。

关 键 词：光伏光折变晶体 空间孤子 偏转特性 屏蔽 加压 外加电压 扩散效应 非线性光学 

分 类 号：O437[机械工程—光学工程]