FeCrSiB纳米晶薄膜中的纵向和垂直巨磁电感效应  

作　　者：刘宜华[1] 陈晨[1] 栾开政[1] 张林[1] 颜世申[1] 

机构地区：[1]山东大学物理系,济南250100

出　　处：《科学通报》1997年第10期1062-1065,共4页Chinese Science Bulletin

摘　　要：材料的交流阻抗随外加直流磁场的改变而变化的特性称磁阻抗效应.1992年日本名古屋大学毛利佳年雄教授等人最先报道了这一现象.最初对这一效应研究得最多的是具有零或负磁致伸缩系数的钴基非晶态软磁合金细丝,特别是长度只有几毫米的小尺寸细丝.当丝通以高频电流时,丝两端感生的电压振幅随沿丝长方向所加外磁场强度的改变而变化,这种变化无磁滞效应,是快响应、高灵敏度的.对这种特别大的磁阻抗效应人们称之为巨磁阻抗效应.在趋肤效应可以忽略的低频情况下,阻抗中的电阻分量受外磁场影响很小,交流电压的磁场关系主要来自细丝的电感分量,因而这时称巨磁电感效应.由于巨磁阻抗效应在交流磁传感器件中有着广阔的应用前景,因而它一出现就受到了人们的重视,目前所研究的材料品种已扩大到非晶薄带和薄膜中,而纳米晶合金薄膜中的巨磁阻抗效应至今还未见报道.

关 键 词：巨磁阻抗效应 巨磁电感效应 纳米晶合金 薄膜 

分 类 号：O484.43[理学—固体物理]