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作 者:谭小平[1] 梁叔全[1] 张勇[1] 唐艳[1] 钟杰[1]
机构地区:[1]中南大学材料科学与工程学院,长沙410083
出 处:《无机材料学报》2007年第6期1233-1238,共6页Journal of Inorganic Materials
基 金:国家863项目(2003AA332040)
摘 要:借助DSC、XRD、SEM和TEM等技术探讨了Si-Al-Zr-O(SAZ)系非晶的原位受控晶化过程.结果表明,SAZ系非晶在900℃左右存在分相,形成富Si区和富Zr、Al区.在920~950℃间,开始成核析出初晶相四方氧化锆,并从富Al区形成Al-Si尖晶石相.当温度升高至1000℃时,莫来石晶相开始生成.温度进一步升高,Al-Si尖晶石相消失,四方氧化锆、莫来石成为主晶相,同时生成了方石英.其中,莫来石是通过过渡相Al-Si尖晶石与非晶二氧化硅反应得到.The in situ controlled crystallizing process of Si-Al-Zr-O(SAZ) amorphous bulk was investigated by DSC, XRD, SEM and TEM techniques. The amorphous undergoes structural changes by treating at different temperatures. Phase segregation occurs at about 900℃, resulting in the formation of Si-rich and Al, Zr-rich regions. The t-ZrO2 is crystallized from the Al, Zr-rich region at 920-950℃ followed by poorly defined Al-Si spinel. With the increase of temperature up to 1000℃, mullite forms by reaction between Al-Si spinel and amorphous silica. The main crystalline phases identified are t-ZrO2, mullite and some cristobalite with the spinel disappearing above 1000℃.
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