基于低温缓冲层的单片集成长波长可调谐光探测器  

A Monolithic Integrated Long-Wavelength Tunable Photodetector Based on a Low Temperature Buffer Layer

作　　者：吕吉贺[1] 黄辉[1] 任晓敏[1] 苗昂[1] 李轶群[1] 王睿[1] 黄永清[1] 王琦[1] 

机构地区：[1]北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室,北京100876

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第11期1807-1810,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展规划(批准号:2003CB314901);国家自然科学基金(批准号:60576018;90601002);国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03Z416)资助项目~~

摘　　要：实现了一种单片集成的长波长可调谐光探测器.通过外延实验,摸索出低温缓冲层的最佳生长条件,成功地在GaAs衬底上生长出晶格失配度约4%的高质量的InP基材料.基于此低温缓冲层,在GaAs衬底上首先生长GaAs/AlAs材料的F-P腔滤波器,然后异质外延InP-In0.53Ga0.47As-InP材料的PIN结构.制作出的器件通过热调谐,峰值波长从1533.1nm红移到1543.1nm,实现了10.0nm的调谐范围,同时响应线宽维持在0.8nm以下,量子效率保持在23%以上,响应速率达到6.2GHz.We demonstrate a tunable long-wavelength photodetector by using a he（eroepitaxy growth of an InP-In0.53 Ga0.47- As-InP p-i-n structure on a GaAs-based GaAs/AIAs Fabry-Perot filter structure. High quality heteroepitaxy is realized by em- ploying a thin low-temperature buffer layer, which is carried out in a series of experiments. A wavelength tuning range of 10.0nm,an external quantum efficiency of about 23%, a spectral linewidth of 0.8nm, and a 3dB bandwidth of 6.2GHz are simultaneously obtained in the device.

关 键 词：异质外延 可调谐 光电探测器 

分 类 号：TN36[电子电信—物理电子学]