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检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:张汉林[1,2] 刘韩星[1,2] 王典芬 欧阳世翕[1,2] 袁润章 任海兰[1,2]
机构地区:[1]武汉工业大学材料复合新技术国家重点实验室 [2]中国科学院武汉物理所
出 处:《复合材料学报》1997年第2期40-44,共5页Acta Materiae Compositae Sinica
基 金:国家自然科学基金
摘 要:本文采用XPS配合Ar+离子原位刻蚀研究了用射频磁控溅射法制备Ti/Al2O3(0001),Ti/Al2O3(多晶)和Ti/MgO(001)体系的界面结构。结果表明,在Ti/Al2O3体系的界面处存在Al3+的还原态和Ti的氧化态,且在刻蚀过程中,Al3+的还原态出现在Ti的氧化态之前。用相同方法制备的Ti/MgO界面没有产生类似的界面反应。The interfacial structure of Ti/single crystal Al 2O 3(0001), Ti/polycrystalline Al 2O 3, and Ti/single crystal MgO(001)system made by RF magnetron sputtering was investigated by using XPS combining with Ar + ion in situ etching in this paper. The results show that the reduction of Al 3+ and oxidation of titanium exist at the interface of Ti/Al 2O 3 systems. Moreover, the reduced Al appears before the oxided Ti at the interface of Ti/Al 2O 3 in the etching process. No similar interfacial reaction was observed at the interface of Ti/MgO system by the same making method.
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