方块电阻法原位表征Cu薄膜氧化反应动力学规律  

An in situ method for characterizing the kinetics of the oxidation process of copper thin films via sheet resistance

作　　者：罗宇峰[1] 钟澄[1] 张莉[1] 严学俭[1] 李劲[1] 蒋益明[1] 

机构地区：[1]复旦大学材料科学系,上海200433

出　　处：《物理学报》2007年第11期6722-6726,共5页Acta Physica Sinica

基　　金：国家自然科学基金(批准号:50571027);科技部专项基金(批准号:2005DKA10400);上海市科委(批准号:0452nm004;0552nm038);上海应用材料研究发展基金(批准号:0524);教育部985微纳电子科技创新平台项目"先进互连材料及概念"资助的课题.~~

摘　　要：提出并建立了一种基于方块电阻测量的原位表征Cu薄膜氧化反应动力学规律的方法.利用Cu薄膜方块电阻随氧化时间的变化情况,得到氧化产物厚度与氧化时间的关系,反应动力学表征结果符合抛物线规律.还利用不同的氧化反应温度条件和对应的抛物线常数之间的关系得到体系的扩散激活能.结果表明,提出的表征方法适用于Cu薄膜氧化反应体系.　In this paper,a new in situ method was developed for characterizing the kinetics of the oxidation process of copper thin films by using sheet resistance.Copper thin films were prepared on glass substrate by vacuum deposition.The oxidation kinetics of the copper thin films was studied via sheet resistance which increased during the process.The results suggested that this new method can be applied to the characterization of the reaction kinetics of copper thin film.

关 键 词：Cu薄膜 氧化反应 动力学 表征 

分 类 号：O484[理学—固体物理]