LaSrGaO4：Cu^2＋晶体电子顺磁共振参量和缺陷结构的研究  

Studies of the EPR parameters and defect structure for LaSrGaO4.. Cu^2＋ crystal

作　　者：冯文林[1] 刘虹刚 方旺 

机构地区：[1]重庆工学院数理学院应用物理系,杨家坪400050 [2]不详

出　　处：《中国学术期刊文摘》2007年第21期52-52,共1页Chinese Science Abstracts(Chinese Edition)

摘　　要：采用3d^9离子在四角对称中的高阶微扰公式，计算了LaSrGaO4：Cu^2＋晶体的电子顺磁共振（EPR）参量g因子g∥，g⊥和超精细结构常数A∥，A⊥．计算结果与实验值较好符合．由于晶体中顺磁杂质中心的EPR参量与其缺陷结构密切相关，该计算还获得了Cu^2＋杂质中心缺陷结构的信息．对上述结果进行了讨论．

关 键 词：电子顺磁共振参量 缺陷结构 LaSrGaO4:Cu^2+晶体 

分 类 号：O737[理学—晶体学]